Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ
Kategoriler:
Yıl:
2001
Yayımcı:
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Dil:
russian
Sayfalar:
18
Dosya:
PDF, 505 KB
IPFS:
,
russian, 2001
Litres
Bir kitap dükkanı eklemek ister misiniz? Bize support@z-lib.fm adresinden ulaşın
Dosyaları dönüştürün
Diğer arama sonuçları
Diğer avantajları 
Anahtar ifadeler
İlgili Koleksiyonlar
